| 以文本方式查看主题 - 中国磁性材料网——联众(R)磁性论坛 (http://bbs.linkjoin.cn/index.asp) -- 软磁直流测量技术与仪器 (http://bbs.linkjoin.cn/list.asp?boardid=6) ---- 请教一个问题，DT-4E在地磁场中，最大剩磁能有多大，需要多... (http://bbs.linkjoin.cn/dispbbs.asp?boardid=6&id=177) |
| -- 作者：lezeqe -- 发布时间：2008-2-2 5:39:00 -- 请教一个问题，DT-4E在地磁场中，最大剩磁能有多大，需要多... 请教一个问题，DT-4E在地磁场中，最大剩磁能有多大，需要多长时间。谢谢 |
| -- 作者：天马 -- 发布时间：2008-2-3 12:16:00 -- 磁性材料在地磁场中，可以等效为一个条状结构的磁体。在地磁场方向上，磁体被磁化，同时磁体本身也会产生退磁场。退磁场与磁体的形状有很大关系，它反过来会影响磁体的磁化状态。 磁体在地磁场方向会形成磁极，如果是一个空腔，在内表面也会产生磁荷。 您说的剩磁指的是材料内部的磁感，还是磁体外表面或者内表面附近的磁感？ |
| -- 作者：天马 -- 发布时间：2008-2-3 13:14:00 -- 地磁场约0.4Gs~0.5Gs，即30~40A/m左右，对于一个开路的DT4E磁体，其内部的磁场很低（与形状有关）。DT4E在这个磁场下的磁滞不大，响应时间为秒级。 |
| -- 作者：lezeqe -- 发布时间：2008-2-28 18:54:00 -- 谢谢天马！ 我说的剩磁指的是磁体外表面或者内表面附近的磁感，因为我们制造了一个磁屏蔽箱，内部磁场要小于200nT,但达到500nT后，再多加屏蔽层，内部的磁场强度不再降低，我怀疑是屏蔽材料的剩磁造成的。对否？ 另外，我想先寄几个样品请你们MATS-2010SD给测一下有关参数，以决定是否购买，可以找谁联系？谢谢！ |
| -- 作者：天马 -- 发布时间：2008-2-29 10:13:00 -- 磁屏蔽箱的设计是一个系统工程，屏蔽效果与材料的初始磁导率、箱体结构（低阻磁路）和加工工艺有关。简单地讲，用1J50比DT4E要好，用圆筒结构比矩形结构要好，整体退火比不退火要好。要求越高，所需的代价就越大。 关于寄样测试，请与销售部门联系，电话：0738-8319168 |
| -- 作者：zyh19681013 -- 发布时间：2008-5-8 8:45:00 -- 采用DT4纯铁来做屏蔽效果达到200nT的屏蔽腔是不太可能的,主要原因是材料本身的Hc比较大,一般在几十到几百A/m,这也就是你说的表面余磁可能造成的影响.做这样的磁屏蔽,最好采用亥姆霍兹线圈来抵消外在的三维磁场.如一定要采用软磁材料,可选择1J79/1J85等低Hc材料试试. |
| -- 作者：haiwolf -- 发布时间：2009-11-19 13:29:00 -- DT4纯铁如果处理正常的话矫顽力应该小于100A/m, 做屏蔽箱还是推荐用80Ni系列产品，这样效果好一些。至少采用一层这样的材料。做屏蔽箱材料很重要，工艺也很重要。现在水平好的磁屏蔽箱净磁场可以小于0.1nT,当然这样的造价不菲 |