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主题:请教一个问题,DT-4E在地磁场中,最大剩磁能有多大,需要多...

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lezeqe
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请教一个问题,DT-4E在地磁场中,最大剩磁能有多大,需要多...  发帖心情 Post By:2008-2-2 5:39:00

请教一个问题,DT-4E在地磁场中,最大剩磁能有多大,需要多长时间。谢谢

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天马
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  发帖心情 Post By:2008-2-3 12:16:00

磁性材料在地磁场中,可以等效为一个条状结构的磁体。在地磁场方向上,磁体被磁化,同时磁体本身也会产生退磁场。退磁场与磁体的形状有很大关系,它反过来会影响磁体的磁化状态。
   
    磁体在地磁场方向会形成磁极,如果是一个空腔,在内表面也会产生磁荷。
   
    您说的剩磁指的是材料内部的磁感,还是磁体外表面或者内表面附近的磁感?

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天马
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  发帖心情 Post By:2008-2-3 13:14:00

地磁场约0.4Gs~0.5Gs,即30~40A/m左右,对于一个开路的DT4E磁体,其内部的磁场很低(与形状有关)。DT4E在这个磁场下的磁滞不大,响应时间为秒级。

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lezeqe
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  发帖心情 Post By:2008-2-28 18:54:00

谢谢天马! 我说的剩磁指的是磁体外表面或者内表面附近的磁感,因为我们制造了一个磁屏蔽箱,内部磁场要小于200nT,但达到500nT后,再多加屏蔽层,内部的磁场强度不再降低,我怀疑是屏蔽材料的剩磁造成的。对否? 另外,我想先寄几个样品请你们MATS-2010SD给测一下有关参数,以决定是否购买,可以找谁联系?谢谢!

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  发帖心情 Post By:2008-2-29 10:13:00

磁屏蔽箱的设计是一个系统工程,屏蔽效果与材料的初始磁导率、箱体结构(低阻磁路)和加工工艺有关。简单地讲,用1J50比DT4E要好,用圆筒结构比矩形结构要好,整体退火比不退火要好。要求越高,所需的代价就越大。
    关于寄样测试,请与销售部门联系,电话:0738-8319168

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zyh19681013
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  发帖心情 Post By:2008-5-8 8:45:00

采用DT4纯铁来做屏蔽效果达到200nT的屏蔽腔是不太可能的,主要原因是材料本身的Hc比较大,一般在几十到几百A/m,这也就是你说的表面余磁可能造成的影响.做这样的磁屏蔽,最好采用亥姆霍兹线圈来抵消外在的三维磁场.如一定要采用软磁材料,可选择1J79/1J85等低Hc材料试试.

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haiwolf
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  发帖心情 Post By:2009-11-19 13:29:00

DT4纯铁如果处理正常的话矫顽力应该小于100A/m,  做屏蔽箱还是推荐用80Ni系列产品,这样效果好一些。至少采用一层这样的材料。做屏蔽箱材料很重要,工艺也很重要。现在水平好的磁屏蔽箱净磁场可以小于0.1nT,当然这样的造价不菲


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