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主题:求MATS-210SD的N1,N2,Hi,Hs 的设定

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solgel
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求MATS-210SD的N1,N2,Hi,Hs 的设定  发帖心情 Post By:2010-4-17 21:13:00

我是MATS-2010SD软磁直流测试的新手,我现在还是不知道怎么样选择初级线圈N1,和感应线圈N2,以及Hi 和Hs的选择,我看了一下说明书,看也没看懂啊,有谁能说的具体一点啊,最好给个实例啊,非常感谢了啊

而且在测试初始磁导率的时候,怎么样是红线和绿线尽量重合或平行啊,能给实例最好了啊,调节有什么规律没,谢谢了


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fengyewuli
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  发帖心情 Post By:2010-4-19 16:04:00

 

尊敬的用户,你好!

        关于N1,N2匝数的确定可由以下两个公式得出

                            H=N*I/L

                         H:磁场强度,单位是A/m;

                         N:初级线圈匝数,即N1,单位是匝;

                         I:初级线圈电流,单位是A;

                         L:被测样品的有效磁路长度,即Le,单位是m;

                            Φ=N*B*S

                         Φ:磁通链,单位是Wb;

                         N:次极线圈匝数,即N2,单位是匝;

                         B:磁感应强度,也叫磁通密度,单位是T;

                         S:被测样品的有效截面积,即Ae,单位是m*m.

     注:首先确定Hs,即使样品饱和的最小磁场强度,不同的材料取值不一样,如硅钢取800A/m,铁氧体取1194A/m.如果不知道材料,可先取Hs为200A/m测试Bs,测得的Bs为B200,再取Hs为400A/m测试Bs,测得的Bs为B400,这时比较B200和B400,如果B400比B200大5%以下,Hs即可定为400A/m,如大5%以上,就再取Hs为800A/m测试Bs,测得的Bs为B800,如B800比B400大5%以下,Hs即可定为800A/m,以此类推.

      MATS-2010SD的电流输出为0.01A~10A,由公式H=N*I/L可知,改变匝数就可改变电流,我们可控制使其输出电流为1A~5A,这样既能保证测试精度,又不会使匝数太多而难绕线.这样,N1=Hs*Le/I,I取1A~5A,可计算出N1的范围.

      同样N2=Φ/B*Ae,Φ最大可测20mWb,一般控制在0.5mWb~1.0mWb,也可计算出N2的范围.

      Hi的设置跟Hs一样,不同材料不一样, 对铁氧体为1~3A/m,对硅钢片为3~5A/m,对坡莫合金、非晶和纳米晶为0.08~0.8 A/m。

      希望对你有所帮助,如果还有问题,可打电话0738-8319167,或加QQ:172179594,谢谢!



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fengyewuli
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  发帖心情 Post By:2010-4-20 16:46:00

     实际测试时可能并不知道材料的Hs及Bs,其实也就无法确定N1,N2.我们不妨绕制N1=N2=10匝试着单测Bs,取不同的Hs值,如一倍值Hs,二倍值,四倍值,当增加Hs的值而测得的Bs增加很少甚至不变时,Hs值也就确定了,同时,我们可以观察软件测试界面的电流值及磁通值,数值保持在第三档或第四档,如电流在10A档,数值较大甚至报警,我们就成倍的增加N1的匝数,如电流在0.01A档,数值较小,我们就减少N1的匝数.同理,磁通数值在2mWb档,并且出现*10,数值溢出,我们就减少N2的匝数,如果数值在0.25档,数值较小,我们就成倍的增加N2的匝数.这样就可以确定N1,N2的匝数了.

     但是测试ui时,N1,N2不一定合适,因为ui是材料在Hi点下的磁导率,Hi较小,初级的电流肯定很小,次级的感应电压(磁通)肯定很弱,相对需要N1越少越好,N2越多越好.

     一般,非晶Hi取0.8A/m,纳米晶取0.08A/m.我们可以单测ui,测试曲线中如果红线和绿线不直不重合,说明测试信号很弱.我们可以适当增大Hi,或增加N2的匝数(只要测试Bs时磁通信号不过2*10mWb量程即可).


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fengyewuli
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  发帖心情 Post By:2011-5-13 14:02:00

Hs就是测试要求时的条件H,也可以说是能使材料达到饱和状态的磁场强度H。不同的材料会规定不同的Hm,在此条件下测试其磁性能,看其是否能达到要求。这主要是用来判断合格与否。如果我们不是用来判断合格的,而是做实验,研究其磁性能,那么Hs必须能使测试的样品饱和,这样我们才能看到材料的完整的B-H特性。怎么设呢?我们可以只选测试Bs,设H1测试,测得Bs1,然后又设2倍H1,测得Bs2,如果Bs2只比Bs1大5%(或3%)以下,说明2倍H1就能使材料饱和,所以Hs就是2倍H1。如果Bs2比Bs1大很多(10%以上),说明2倍H1不够,我们可以再设4倍H1,甚至8倍H1,直到Bs(n+1)只比Bs(n)大5%(或3%)以下,这时Bs(n+1)对应的H就是Hs。
       dB是磁感应强度(磁通密度)B的步长,一般设定为测得的Bs的1%。
       Hi是测试的起点,也是磁化场(或励磁场)Hm的小步长。整个磁化过程相当于是从Hi开始,然后2倍Hi、3倍Hi、4倍Hi、......、Hs,每个H都有一个对应的B,所有的点全部连接起来就是磁化曲线。实际上只有磁化的起始段是以Hi的倍数变化的,到了磁导率变化快的时候,也就是在最大磁导率um的附近时,采点会更密集,步长会小于Hi;当磁导率变化慢的时候,也就是快饱和及之后的点的步长就会大于Hi,采点会稀疏些以节省资源。Hi点测得的磁导率是起始磁导率ui,理论上的初始磁导率u0就是根据ui算出来的,所以Hi设置得越小越好,不同的材料的Hi都不一样,一般是:纳米晶是0.08A/m,非晶是0.4A/m,铁氧体是3A/m,铁是8A/m。并且,Hi不能太小,一般大于Hs的0.1%,也不能太大,必须小于Hc。
       Hj是H的大步长,主要是用来提示系统加大采集密度的。我们可以设定为um对应的H,或者直接设为Hc的值。这些也只有在测试完后才能看到的,我们可以默认为“0”,测试后设定为um对应的H(预览磁化曲线,有H(um)),得到的曲线会更平滑,也更接近真实值。

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