标题：求MATS-210SD的N1,N2,Hi，Hs 的设定

我是MATS-2010SD软磁直流测试的新手，我现在还是不知道怎么样选择初级线圈N1，和感应线圈N2，以及Hi 和Hs的选择，我看了一下说明书，看也没看懂啊，有谁能说的具体一点啊，最好给个实例啊，非常感谢了啊

而且在测试初始磁导率的时候，怎么样是红线和绿线尽量重合或平行啊，能给实例最好了啊，调节有什么规律没，谢谢了

 

尊敬的用户,你好!

        关于N1,N2匝数的确定可由以下两个公式得出

                            H=N*I/L

                         H:磁场强度,单位是A/m;

                         N:初级线圈匝数,即N1,单位是匝;

                         I:初级线圈电流,单位是A;

                         L:被测样品的有效磁路长度,即Le,单位是m;

                            Φ=N*B*S

                         Φ:磁通链,单位是Wb;

                         N:次极线圈匝数,即N2,单位是匝;

                         B:磁感应强度,也叫磁通密度,单位是T;

                         S:被测样品的有效截面积,即Ae,单位是m*m.

     注:首先确定Hs,即使样品饱和的最小磁场强度,不同的材料取值不一样,如硅钢取800A/m,铁氧体取1194A/m.如果不知道材料,可先取Hs为200A/m测试Bs,测得的Bs为B200,再取Hs为400A/m测试Bs,测得的Bs为B400,这时比较B200和B400,如果B400比B200大5%以下,Hs即可定为400A/m,如大5%以上,就再取Hs为800A/m测试Bs,测得的Bs为B800,如B800比B400大5%以下,Hs即可定为800A/m,以此类推.

      MATS-2010SD的电流输出为0.01A~10A,由公式H=N*I/L可知,改变匝数就可改变电流,我们可控制使其输出电流为1A~5A,这样既能保证测试精度,又不会使匝数太多而难绕线.这样,N1=Hs*Le/I,I取1A~5A,可计算出N1的范围.

      同样N2=Φ/B*Ae,Φ最大可测20mWb,一般控制在0.5mWb~1.0mWb,也可计算出N2的范围.

      Hi的设置跟Hs一样,不同材料不一样, 对铁氧体为1～3A/m，对硅钢片为3～5A/m，对坡莫合金、非晶和纳米晶为0.08～0.8 A/m。

      希望对你有所帮助,如果还有问题,可打电话0738-8319167,或加QQ:172179594,谢谢!

     实际测试时可能并不知道材料的Hs及Bs,其实也就无法确定N1,N2.我们不妨绕制N1=N2=10匝试着单测Bs,取不同的Hs值,如一倍值Hs,二倍值,四倍值,当增加Hs的值而测得的Bs增加很少甚至不变时,Hs值也就确定了,同时,我们可以观察软件测试界面的电流值及磁通值,数值保持在第三档或第四档,如电流在10A档,数值较大甚至报警,我们就成倍的增加N1的匝数,如电流在0.01A档,数值较小,我们就减少N1的匝数.同理,磁通数值在2mWb档,并且出现*10,数值溢出,我们就减少N2的匝数,如果数值在0.25档,数值较小,我们就成倍的增加N2的匝数.这样就可以确定N1,N2的匝数了.

     但是测试ui时,N1,N2不一定合适,因为ui是材料在Hi点下的磁导率,Hi较小,初级的电流肯定很小,次级的感应电压(磁通)肯定很弱,相对需要N1越少越好,N2越多越好.

     一般,非晶Hi取0.8A/m,纳米晶取0.08A/m.我们可以单测ui,测试曲线中如果红线和绿线不直不重合,说明测试信号很弱.我们可以适当增大Hi,或增加N2的匝数(只要测试Bs时磁通信号不过2*10mWb量程即可).

Hs就是测试要求时的条件H，也可以说是能使材料达到饱和状态的磁场强度H。不同的材料会规定不同的Hm，在此条件下测试其磁性能，看其是否能达到要求。这主要是用来判断合格与否。如果我们不是用来判断合格的，而是做实验，研究其磁性能，那么Hs必须能使测试的样品饱和，这样我们才能看到材料的完整的B-H特性。怎么设呢？我们可以只选测试Bs，设H1测试，测得Bs1，然后又设2倍H1，测得Bs2，如果Bs2只比Bs1大5%（或3%）以下，说明2倍H1就能使材料饱和，所以Hs就是2倍H1。如果Bs2比Bs1大很多（10%以上），说明2倍H1不够，我们可以再设4倍H1，甚至8倍H1，直到Bs（n+1）只比Bs（n）大5%（或3%）以下，这时Bs（n+1）对应的H就是Hs。
       dB是磁感应强度（磁通密度）B的步长，一般设定为测得的Bs的1%。
       Hi是测试的起点，也是磁化场（或励磁场）Hm的小步长。整个磁化过程相当于是从Hi开始，然后2倍Hi、3倍Hi、4倍Hi、......、Hs，每个H都有一个对应的B，所有的点全部连接起来就是磁化曲线。实际上只有磁化的起始段是以Hi的倍数变化的，到了磁导率变化快的时候，也就是在最大磁导率um的附近时，采点会更密集，步长会小于Hi；当磁导率变化慢的时候，也就是快饱和及之后的点的步长就会大于Hi，采点会稀疏些以节省资源。Hi点测得的磁导率是起始磁导率ui，理论上的初始磁导率u0就是根据ui算出来的，所以Hi设置得越小越好，不同的材料的Hi都不一样，一般是：纳米晶是0.08A/m，非晶是0.4A/m，铁氧体是3A/m，铁是8A/m。并且，Hi不能太小，一般大于Hs的0.1%，也不能太大，必须小于Hc。
       Hj是H的大步长，主要是用来提示系统加大采集密度的。我们可以设定为um对应的H，或者直接设为Hc的值。这些也只有在测试完后才能看到的，我们可以默认为“0”，测试后设定为um对应的H（预览磁化曲线，有H（um）），得到的曲线会更平滑，也更接近真实值。